高溫高壓（ HPHT ） 技術(shù)：高溫高壓技術(shù)完全模擬天然鉆石的生長過程， 在地上重現(xiàn)碳元素層的反應并將石墨轉(zhuǎn)換成鉆石。 

HPHT 法（溫度在1 400 ℃ -1 700 ℃ 、 壓力在5.2GPa-5.6GPa ） 鉆石是指模擬天然鉆石生長的環(huán)境， 在六面體高壓機內(nèi)，以石墨、金剛石粉或石墨 - 金剛石粉為碳源，在高溫高壓、 金屬觸媒等生長環(huán)境中形成的等軸晶系晶質(zhì)體。采用高溫高壓法生產(chǎn)20克拉培育鉆石僅需要數(shù)周時間。

生長過程就是頂壓機生長艙高溫區(qū)放入高純度的石墨作碳源，在低溫區(qū)放置鉆石籽晶。在一定的溫度梯度驅(qū)動下，碳源從高溫處的高濃度區(qū)向?qū)Φ蜏靥幍牡蜐舛葏^(qū)擴散，在低溫區(qū)的鉆石籽晶處于過飽和而結(jié)晶，然后冷卻取出，采用濃硝酸清除鉆石表面的雜質(zhì)。

化學氣相沉積（ CVD ） 技術(shù)：通常是在高溫等離子的作用下，含碳氣體被離解，碳原子在基底上沉積成鉆石膜。 

單晶鉆石通常是碳原子在鉆石基底上沉積而形成。含碳氣體通常是指含氮、甲烷和氫的混合氣體，甲烷是合成鉆石碳原子的來源，氮可以增加生長速度，氫可以抑制石墨的形成。通常CVD 合成鉆石是在低壓高溫條件下進行， 壓力一般小于一個大氣壓， 溫度在1 000 ℃左右。

兩種技術(shù)各有優(yōu)勢， HTHP效率更高顏色更好， CVD純凈度更優(yōu)。生產(chǎn)1克拉培育鉆石原石，由于高溫高壓（ HTHP ）是碳原子與碳原子連接形成，所以生長周期僅需要數(shù)天。化學氣相沉積（ CVD ）是在晶種片上將含碳氣體解離生長，逐漸堆積增生，這就需要數(shù)周的生長周期。由于高溫高壓（ HTHP ）需要金屬觸媒作為溶劑參與反應，所以會對鉆石的純凈度產(chǎn)生一些影響，化學氣相沉積（ CVD ） 純凈度稍好。